雅宝题库解析：
近年来，一维半导体纳米结构因其小尺寸效应和量子尺寸效应表现出不同于体材料的独特物理性能，受到了众多研究小组的关注。而且一维纳米结构因其比表面积大，材料尺寸小等优点，使其在进行小尺寸，高效率的器件制作方面具有得天独厚的优势。在其中，氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO）是两种重要的半导体纳米材料，其禁带宽度分别为4.9 eV和3.2 eV，具有良好的紫外光响应特性。所以对于氧化锌和氧化镓的一维半导体结构和相应器件的研究具有很好的应用和发展前景。本文利用静电纺丝技术制备了氧化锌（ZnO）纳米线。相比于其他制备方法，静电纺丝技术可以得到粗细均匀且轴向长度极大的氧化锌一维纳米结构，长度在数十微米量级，直径在50到100 nm 左右。实验表明前驱体溶液的配制对样品的制备有重要作用。同时，在很多气相制备氧化镓一维纳米结构方法的基础之上，开发了一种常压气相生长氧化镓一维纳米结构的方法，改变了传统方法对于催化剂和真空条件的依赖。得到的氧化镓样品长度在数十微米的量级，直径在100-500 nm之间。实验中利用XRD,EDS以及SEM对于所得样品进行了形貌和成分的表征。对氧化锌样品进行了简单的紫外光敏感元件的开发和测试，得到了不同情况下的I – V 数据。实验可以看出经过静电纺丝技术制得的氧化锌一维纳米结构样品，在有无紫外光照条件下的I – V 测试中变化明显表现出了典型的欧姆接触特点。对氧化镓一维纳米结构的紫外敏感元件进行了重点的设计，开发和测试，得到了不同测试环境下的I – T 和I – V 数据。通过对实验数据分析整理，认为可以用热电子发射理论对实验数据进行解释。同时，认为试验中设计的测试元件形成的双肖特基接触的电流电压行为还需要进一步进行物理理论上的解释。
发表于 2022-5-17 08:33:23
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