【奥鹏】-[大连理工大学]大工20春《模拟电子技术》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
第1题,已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和 V,则 V所对应的电极为()。
A、发射极
B、集电极
C、基极
D、无法确定
正确答案:
第2题,关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
正确答案:
第3题,测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
正确答案:
第4题,在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
正确答案:
第5题,引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A、输入电阻太小
B、静态工作点偏低
C、静态工作点偏高
D、输出电阻太小
正确答案:
第 题,在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
正确答案:
第1题,在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
正确答案:
第8题,在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
正确答案:
第9题,晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
正确答案:
第10题,对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
正确答案:
第11题,射极输出器无放大功率的能力。
T、对
F、错
正确答案:F
第12题,温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
T、对
F、错
正确答案:F
第13题,二极管是非线性器件。
T、对
F、错
正确答案:T
第14题,对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
T、对
F、错
正确答案:T
第15题,共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
T、对
F、错
正确答案:F
第1 题,BJT有三个极、三个区、三个PN结。
T、对
F、错
正确答案:F
第11题,阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
T、对
F、错
正确答案:F
第18题,半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
T、对
F、错
正确答案:T
第19题,当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
T、对
F、错
正确答案:F
第20题,N型半导体带正电。
T、对
F、错
正确答案:F |
发表于 2020-5-31 21:09:04
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