基于CMOS工艺的LDO设计

admin · 发表于 2022-8-27 11:20:03

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雅宝题库解析：
随着世界集成电路(IC)技术的突飞猛进，市场上各种新式电源芯片大量涌现。个人电脑、微处理器等产品设计中，电源管理的高效率和智能化，成为决定整个系统性能的关键性技术题目。低压差（LDO）线性电源芯片是一种顺应市场需求的、切实可行的电源管理方案，在各式电子设备，尤其是靠电池驱动的便携式设备中，它可以实现灵活、稳妥的电源管理。目前，业内着力解决的是LDO芯片的电流量和稳定性题目。众所周知，输出电流增大影响芯片的稳定。所以在大电流量下，实现芯片稳定是LDO芯片设计中的一个棘手题目。本文尝试运用0.18um CMOS 工艺，设计了一种电流量大且稳定性强两种优点的LDO线性电源芯片。文中的LDO芯片的输出电压为1.8V,负载驱动可达1A,远高于一般的LDO芯片；文中提出的二阶补偿法合理解决了电流量和稳定性之间相互影响的棘手题目，使系统保持稳定，带宽也有所拓展；设计中采用的PMOS调整管漏失性低，大大缓解了调整管电流量大导致的高温过热题目；其中的高性能带隙基准源，运用了温度补偿和负反馈技术，器件设计尺寸适中，从而达到了7.9ppm/℃/0-100℃这一低温度系数,具有较理想的线性调整能力；文中阐述的片外微调方法也提高了输出电压的精度。

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