半导体功率器件动态参数测试方法的研究与实现

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发表于 2023-10-7 16:48:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
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雅宝题库答案
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雅宝题库解析:
IGBT/MOSFET的应用日益广泛,可目前国内的大功率IGBT的制造技术并不成熟,与国外的器件相比在性能上还有一定的差距。要赶超国外的先进水平,除了进一步提高研发能力与工艺水平之外,完善其参数之测试系统则是一个必备条件。目前,关于介绍IGBT参数的具体测试方法可以参考的文献不多,而且文献主要介绍的都是IGBT的基本测试方法,且多是静态参数。而动态参数占全部待测参数的60%之多,由于要测试的动态参数较复杂,且不同的参数需要不同的测试电路,因此不能实现快速准确的测量,尤其是大功率IGBT动态参数。只有具备准确的参数测试手段,方能指导器件的研发及检测。目前国内具备大功率IGBT动态参数测试能力的企事业单位可谓凤毛麟角。        本论文系统地介绍与分析半导体功率器件的各动态参数,用EDA软件设计并搭建美军标所要求的测试电路进行测试与仿真,获得波形,验证其理论。用国际上先进的测试仪对IGBT/MOSFET器件进行实际测试,获得数据和波形,对测试的数据进行统计与分析,并与仿真结果进行对比,得出两者波形相吻合,验证其模型的正确性,进而建立系统的动态参数测试机制。本论文涉及的工作对于目前国内研发MOSFET和IGBT器件的单位以及有关检测中心之测试工作将起到良好的指导作用。





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