一 、单选题
1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
答案：A
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。
A. 49%
B. 70%
C. 30%
D. 36%
答案：D
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3. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。
A. 简单 较大
B. 复杂 较大
C. 简单 较小
D. 复杂 较小
答案：A
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4. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。
A. 离子的质量
B. 离子的浓度
C. 离子的运动
D. 离子的温度
答案：B
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5. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。
A. 大于 小于
B. 大于 大于
C. 小于 小于
D. 小于 大于
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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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7. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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10. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。
A. 混合氯代硅烷，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 氯化氢
C. 磷化氢
D. 水
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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。
A. 吸附力
B. 离子交换
C. 电力
D. 压力差
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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。
A. CL-
B. Na
C. H+和OH-
D. Ca
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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。
A. 悬浮物质
B. 挥发物质
C. 胶体物质
D. 溶解物质
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14. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。
A. SiO2，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. SiH
C. HCL
D. Si
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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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16. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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17. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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二 、多选题
1. 构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。
A. 被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差
B. 具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触
C. 半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中
D. 电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的国开一网一平台
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2. 露点法测定气体中职业健康安全运行控制正确的是（ ）。
A. 存在危险源：液氮低温冻伤
B. 因没有有毒气体不必做任何防护
C. 在分析氢气露点时用大气赶走气，要注意把氢气引到室外
D. 操作过程酒精可不必谈注意
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3. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。
A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h
B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度
C. 测定流速控制在250—300ml/min
D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃
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4. 在立方晶系中，晶面和晶面间的夹角为（ ）。
A. 0°
B. 30°
C. 60°
D. 90°
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5. 影响树脂再生的主要因素有（ ）。
A. 再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等
B. 终点PH值的大小
C. 离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等
D. 杂质量的多少
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
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四 、配伍题
1. 将下列三氯氢硅中硼的分析试剂一一对应。
A. 10mΩ以上的离子交换水
B. 纯水
C. 优级纯氢氟酸，在用自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次
D. 氢氟酸
E. Be标准液
F. 2.5µgBe/mL
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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。
A. 反洗
B. 向下穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心。管
C. 原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体
D. 运行
E. 水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出
F. 正洗
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3. 将以下几种晶面腐蚀后的特征一一对应。
A.
B. 腐蚀面呈许多嵌有黑边的四方形小坑，小坑的四个角与晶体的四条晶棱相应错开 角
C. 腐蚀表面呈许多矩形小坑
D.
E.
F. 腐蚀表面呈许多三角形坑，坑的顶角与晶体外观棱线的位置一致或相反
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4. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
A. 10～15min
B. Shimmle腐蚀液
C. 20 min以上
D. Wright腐蚀液
E. Sirtl腐蚀液
F. 5min
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5. 将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制一一对应。
A. 危险源
B. 要注意把氢气引出室外
C. 分析氢气露点时用大气赶走气
D. 液氮低温冻伤
E. 要放在阴凉地方
F. 酒精放置
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发表于 2024-4-20 13:08:32
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