一 、单选题
1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带负电，热端带正电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
答案：B
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。
A. 49%
B. 70%
C. 30%
D. 36%
答案：D
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3. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。
A. 4cm-1
B. 3cm-1
C. 2cm-1
D. 1cm-1
答案：C
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
答案：B
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5. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。
A. 大于 小于
B. 大于 大于
C. 小于 小于
D. 小于 大于
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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664），我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. （463）
C. （333）
D. （246），我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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9. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。
A. 混合氯代硅烷
B. 氯化氢
C. 磷化氢
D. 水
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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。
A. 5%盐酸
B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳
C. 4%氢氧化钠
D. 1%富尔马林溶液
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12. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。
A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子
B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子
C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子
D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子
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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 16
B. 17
C. 18
D. 19
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14. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。
A. CL-
B. Na
C. H+和OH-
D. Ca
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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。
A. 高 大
B. 高 小
C. 低 大
D. 低 小
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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
C. 较低
D. 无法判断
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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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二 、多选题
1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。
A. 氧施主
B. 氧沉淀
C. 二次缺陷
D. 氧分离
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2. 露点法测定气体中职业健康安全运行控制正确的是（ ）。
A. 存在危险源：液氮低温冻伤
B. 因没有有毒气体不必做任何防护
C. 在分析氢气露点时用大气赶走气，要注意把氢气引到室外
D. 操作过程酒精可不必谈注意
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3. 利用X射线形貌图来计算单晶中位错密度常用的方法有（ ）。
A. 利用X射线形貌立体投影的方法
B. 计算单位体积中位错线的长度
C. 计算形貌图上穿过一定长度的位错线的数目国开一网一平台
D. 缀饰法
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4. 自动软化系统反洗的目的是（ ）。
A. 通过反洗，试运行中压紧的树脂层松动，有利于树脂颗粒与再生液充分接触
B. 使树脂表面积累的悬浮物及碎树脂随反洗水排出，从而使交换器的水流阻力不会越来越大
C. 清除树脂层中残留的再生废液
D. 提高软化效果
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5. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。
A. 反射
B. 折射
C. 吸收
D. 透过
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 为什么测量半导体硅单晶导电类型时，要对单晶的被测表面进行喷砂处理？
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四 、配伍题
1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。
A. 1.5%EDTA溶液
B. 碳酸盐结垢
C. 1%富尔马林溶液
D. 有机物污染及硫酸盐结构
E. 3%柠檬酸溶液
F. 细菌污染
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2. 将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。
A. 逆流分层
B. 由入酸口将6%-10%的盐酸溶液，流入柱内，严格控制流过阳离子交换树脂层的流速，使其在0.5-1h内流完
C. 碱液再生阴离子交换树脂
D. 对树脂进行短时间的强烈反冲，使阴阳离子交换树脂充分分层
E. 酸液再生阴离子交换树脂
F. 由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内，控制流速，使其在15-30min流完
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3. 由于晶胞参数关系，在立方晶体中，某些晶面和晶向是相互垂直的，请一一对应。
A. [100]晶向
B. [111]晶面
C. [111]晶向
D. [100]晶面
E. [110]晶向
F. [110]晶面
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4. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。
A. 吸盘
B. X射线发生部分国开一网一平台
C. X射线检测部分
D. X射线管
E. 样品台
F. 盖革计数管和计数时率计
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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
A. 10～15min
B. Shimmle腐蚀液
C. 20 min以上
D. Wright腐蚀液
E. Sirtl腐蚀液
F. 5min
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发表于 2024-4-20 13:06:32
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