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光伏检测与分析-012
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一 、单选题
1. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。
A. 30～50℃
B. 40～60℃
C. 50～70℃
D. 60～80℃
答案：B
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2. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
答案：A
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3. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。
A. 大于 小于
B. 大于 大于
C. 小于 小于
D. 小于 大于
答案：A
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4. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 简单 较大
B. 复杂 较大
C. 简单 较小
D. 复杂 较小
答案：A
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5. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。
A. 4cm-1
B. 3cm-1
C. 2cm-1
D. 1cm-1
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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断国开一网一平台
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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。
A. 吸附力
B. 离子交换
C. 电力
D. 压力差
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12. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。
A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子
B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子
C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子
D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子
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13. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。
A. CL-
B. Na
C. H+和OH-
D. Ca
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14. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 8
B. 9
C. 10
D. 11
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15. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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16. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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17. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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二 、多选题
1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。
A. Sirtl腐蚀液
B. Dash腐蚀液
C. Wright腐蚀液
D. Shimmel腐蚀液
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2. 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（ ）。国开一网一平台
A. 两探针法
B. 四探针法
C. 扩展电阻法
D. 范德堡法
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3. X射线的衍射法精确度高，它受以下（ ）因素影响。
A. X射线束的发散性
B. X射线束准直性
C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度
D. 天气温度
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4. 在立方晶系中，晶面和晶面间的夹角为（ ）。
A. 0°
B. 30°
C. 60°
D. 90°
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5. 某样品受到红外线照射时，会产生以下（ ）现象。
A. 反射
B. 折射
C. 吸收
D. 透过
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 简述在立方晶系中，一个晶面的晶面指数是如何决定的。
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四 、配伍题
1. 将下列三氯氢硅中硼的分析试剂一一对应。
A. 10mΩ以上的离子交换水
B. 纯水
C. 优级纯氢氟酸，在用自制的聚乙烯蒸馏器蒸馏一次
D. 氢氟酸
E. Be标准液
F. 2.5µgBe/mL
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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。
A. 向下穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心管。
B. 反洗
C. 原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体
D. 运行
E. 正洗
F. 水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出
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3. 硅中氧和硅原子之间组成非线性Si-O-Si模型，请将以下关系一一对应。
A. 硅原子向氧原子运动，振动频率1205 cm-1
B. 硅-氧键的对称伸张振动
C. 硅-氧键的弯曲振动
D. 硅原子偏离赤道面，振动频率515 cm-1
E. 硅原子沿硅-氧键的方向运动，振动频率1105 cm-1
F. 硅-氧键的反对称伸张振动
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4. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。
A. 杂质不均匀
B. 与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关
C. 因为质谱分析一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量
D. 各元素电离效率
E. 谱线黑度
F. 受到很多因素，如离子质量影响
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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。
A. 吸盘
B. X射线发生部分
C. X射线检测部分
D. X射线管
E. 样品台
F. 盖革计数管和计数时率计
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发表于 2024-4-20 13:00:21
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