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光伏检测与分析-011
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一 、单选题
1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
答案：A
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。
A. 30～50℃
B. 40～60℃
C. 50～70℃
D. 60～80℃
答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
答案：B
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4. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
答案：B
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5. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。
A. 简单 较大
B. 复杂 较大
C. 简单 较小
D. 复杂 较小
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6. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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9. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。
A. 自然挥发法
B. 基于时间的差别进行分离
C. 过滤
D. 化学分离
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10. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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11. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。
A. 5%盐酸
B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳
C. 4%氢氧化钠
D. 1%富尔马林溶液
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12. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。
A. CL-
B. Na
C. H+和OH-
D. Ca
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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 16
B. 17
C. 18
D. 19国开一网一平台
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14. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。国开一网一平台
A. SiO2国开一网一平台
B. SiH
C. HCL
D. Si
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15. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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16. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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17. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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二 、多选题
1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。
A. 腐蚀液的成分
B. 电极电位
C. 缓冲剂的影响
D. 腐蚀处理的温度和搅拌的影响
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2. 四探针法测量电阻率的测准条件主要有（ ）。
A. 样品的厚度必须大于3倍针距
B. 一般采用1～2mm左右的针距较适宜
C. 四根探针应处于同一平面的同一条直线上
D. 电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化
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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。
A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%
B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍
D. 装置需要长期停运时用保护溶液保护前
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4. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。
A. 光点定向仪
B. 光源
C. 光屏
D. X光
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5. 质谱分析造成其误差较高的因素有（ ）。
A. 杂质在样品中的不均匀分布
B. 元素本身的性质、样品中元素的选择及离子源火花条件对电离效率的影响
C. 离子质量影响用谱线黑度来反映强度
D. 主元素谱线的干扰
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
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四 、配伍题
1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。
A. 1.5%EDTA溶液
B. 碳酸盐结垢
C. 1%富尔马林溶液
D. 有机物污染及硫酸盐结构
E. 3%柠檬酸溶液
F. 细菌污染
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2. 将下列活性炭过滤器工作原理一一对应。
A. 向下穿过过滤料层，经下布水器收集返回中心管。国开一网一平台
B. 反洗
C. 原水由进水口进入控制阀，从阀芯的上部经阀体内，并由顶部进入罐体
D. 运行
E. 正洗
F. 水从底部进入活性炭过滤层后由上部排出
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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。
A. 杂质沉淀
B. 宏观缺陷
C. 微观缺陷
D. 星形结构
E. 加工损伤
F. 表面机械损伤
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4. 红外线通过样品时可根据能量不灭定律表示为I0=IR+IK+IT ，请将以下变量物理意义一一对应。
A. R
B. 透射率
C. 吸收率
D. K
E. 反射率
F. T
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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
A. Sirtl腐蚀液
B. 10～15min
C. 20 min以上
D. Dash腐蚀液
E. 1～16h
F. Secco腐蚀液
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发表于 2024-4-20 12:59:21
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