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光伏检测与分析-007
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一 、单选题
1. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带正电，热端带负电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
答案：A
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。
A. 49%
B. 70%
C. 30%
D. 36%
答案：D
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3. 光图定向法结果直观，操作（ ），误差（ ）。
A. 简单 较大
B. 复杂 较大
C. 简单 较小
D. 复杂 较小
答案：A
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4. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。
A. 离子的质量
B. 离子的浓度
C. 离子的运动
D. 离子的温度
答案：B
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5. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。
A. 大于 小于
B. 大于 大于
C. 小于 小于
D. 小于 大于
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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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7. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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8. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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10. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。
A. 5%盐酸
B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳
C. 4%氢氧化钠
D. 1%富尔马林溶液
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11. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。
A. 混合氯代硅烷
B. 氯化氢
C. 磷化氢
D. 水
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12. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。
A. SiO2
B. SiH
C. HCL
D. Si
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13. 树脂失效表明离子交换树脂可供交换的（ ）大为减少。
A. CL-
B. Na
C. H+和OH-
D. Ca
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14. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。
A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子
B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子
C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子
D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子
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15. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。
A. 高 大
B. 高 小
C. 低 大
D. 低 小
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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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二 、多选题
1. 由于硅晶体经历了各种温度的热处理，过饱和的间隙氧会在硅晶体中偏聚和沉淀，形成了（ ）。国开一网一平台
A. 氧施主
B. 氧沉淀
C. 二次缺陷
D. 氧分离
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2. 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。
A. 冷热探笔法国开一网一平台
B. 三探针法
C. 单探针点接触整流法
D. 冷探笔法
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3. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。
A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度
C. 测定流速控制在250—300ml/min
D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃
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4. X射线的衍射法精确度高，它受以下（ ）因素影响。
A. X射线束的发散性
B. X射线束准直性
C. 转角鼓轮读数轮刻度的精度
D. 天气温度
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5. 硅单晶光点定向测试中运用的仪器设备有以下（ ）。
A. 光点定向仪
B. 光源
C. 光屏
D. X光
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
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四 、配伍题
1. 将下列气相色谱法测定干法H2的组分时样品测试各恒温系统与温度一一对应。
A. 层析室
B. 80℃±5℃
C. 70℃±5℃
D. 检测室
E. 气化室
F. 100℃±5℃国开一网一平台
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2. 将下列混床树脂再生步骤与内容一一对应。
A. 逆流分层
B. 由入酸口将6%-10%的盐酸溶液，流入柱内，严格控制流过阳离子交换树脂层的流速，使其在0.5-1h内流完
C. 碱液再生阴离子交换树脂
D. 对树脂进行短时间的强烈反冲，使阴阳离子交换树脂充分分层
E. 酸液再生阴离子交换树脂
F. 由入碱口或入水口将2-3倍阴离子交换树脂体积的4%-6%的NaOH溶液注入柱内，控制流速，使其在15-30min流完
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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。
A. P型电阻率
B. ρB
C. 电子电荷
D. e
E. 空穴迁移率
F. μp
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4. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。
A. 吸盘
B. X射线发生部分
C. X射线检测部分
D. X射线管
E. 样品台
F. 盖革计数管和计数时率计
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5. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。
A. 70%
B. HF
C. 49%
D. HNO3
E. H2O2
F. 30%
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发表于 2024-4-20 12:55:21
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