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光伏检测与分析-005
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一 、单选题
1. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。
A. 49%
B. 70%
C. 30%
D. 36%
答案：D
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2. 用冷热探笔法测量（ ）半导体时，冷端带负电，热端带正电。
A. P型
B. N型
C. PN型
D. 以上皆不是
答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
答案：B
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4. 双光束光栅红外分光光度计，测碳的分辨率应不大于（ ）。
A. 4cm-1
B. 3cm-1
C. 2cm-1
D. 1cm-1国开一网一平台
答案：C
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5. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。
A. 3min
B. 5min
C. 10min国开一网一平台
D. 20min
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6. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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8. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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10. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。
A. 自然挥发法
B. 基于时间的差别进行分离
C. 过滤
D. 化学分离
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11. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。
A. 吸附力，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 离子交换
C. 电力
D. 压力差
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12. 对三氯氢硅中痕量杂质的分析采用蒸发法使用微量高纯水和SiHCL3作用产生少量（ ）水解物，对痕量杂质元素有吸附作用。
A. SiO2
B. SiH
C. HCL
D. Si
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13. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。
A. 悬浮物质
B. 挥发物质
C. 胶体物质
D. 溶解物质，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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14. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 16
B. 17
C. 18
D. 19
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15. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。
A. 体密度
B. 面密度
C. 线密度
D. 以上皆不是
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16. 硅单晶样品对红外光的反射率越（ ），吸收系数越（ ），那么红外光的透射率就越小。
A. 高 大
B. 高 小
C. 低 大
D. 低 小
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17. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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18. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. ±30'
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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二 、多选题
1. 半导体硅的常用腐蚀剂主要有（ ）。
A. Sirtl腐蚀液
B. Dash腐蚀液
C. Wright腐蚀液
D. Shimmel腐蚀液
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2. 陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（ ）。
A. 使整个样品加底光照
B. 加底光照后用氙灯闪光进行照射
C. 将硅单晶加热到50～70℃
D. 将硅单晶加热到60～80℃
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3. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。
A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h
B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度
C. 测定流速控制在250—300ml/min
D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃
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4. 为避免引起衍射混乱，一般选用比阳极材料原子序数小的材料做滤光片，以下适宜的是（ ）。
A. 铜靶的滤光片采用镍
B. 钼靶的滤光片采用铌
C. 钼靶的滤光片采用锆
D. 钴靶的滤光片采用铁
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5. 布喇格定律成立需满足以下（ ）条件。
A. 入射角等于反射角
B. 入射线反射线和反射晶面的法线在同一平面，且入射线和衍射线处法线两侧
C. 绝对值只能等于或小于1
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
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四 、配伍题
1. 将下列分析项目与分析方法一一对应。
A. 基于时间的差别进行分离
B. 三氯氢硅中硼的分析
C. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定
D. 自然挥发法国开一网一平台
E. 异常透射法
F. X射线形貌技术
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2. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。
A. 溶胶、硅胶、铁、铝
B. 悬浮物质
C. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质
D. 胶体物质
E. 溶解物质
F. Ca 、Mg、N【A.】Fe、Mn的酸式碳酸盐，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。
A. P型电阻率
B. ρB
C. 电子电荷
D. e
E. 空穴迁移率
F. μp
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4. 将下列露点法测定气体中的水分时职业健康安全进行控制一一对应。
A. 危险源
B. 要注意把氢气引出室外
C. 分析氢气露点时用大气赶走气
D. 液氮低温冻伤
E. 要放在阴凉地方
F. 酒精放置
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5. 将下列硅的腐蚀剂与腐蚀时间一一对应。
A. 10～15min
B. Shimmle腐蚀液
C. 20 min以上
D. Wright腐蚀液
E. Sirtl腐蚀液
F. 5min
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发表于 2024-4-20 12:54:21
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