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光伏检测与分析-003
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一 、单选题
1. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。
A. 温差电效应
B. 整流效应
C. 以上二种皆可
D. 以上二种皆不可
答案：A
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2. 半导体硅的常用液体试剂腐蚀剂中HCL的浓度大致为（ ）。
A. 49%
B. 70%
C. 30%
D. 36%
答案：D
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3. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。
A. 大于 小于
B. 大于 大于
C. 小于 小于
D. 小于 大于
答案：A
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4. 悬浮区熔法检验硅多晶中基磷含量时，采用快速区熔法的工艺，第一次区熔时，第一次熔区停留挥发时间（ ）左右。
A. 3min
B. 5min
C. 10min
D. 20min
答案：C
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5. 质谱的定量分析是在质谱图上，谱线的峰值所对应的离子流强度即谱线的黑度代表了（ ）从而进行杂质分析。
A. 离子的质量
B. 离子的浓度
C. 离子的运动
D. 离子的温度
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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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9. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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10. 当RO系统暂停使用一周以上时，系统应以（ ）浸泡，防止细菌在膜表面繁殖。
A. 5%盐酸
B. 1.0%浓度的亚硫酸氢纳
C. 4%氢氧化钠
D. 1%富尔马林溶液
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11. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱法的基本原则是（ ）法。
A. 自然挥发法
B. 基于时间的差别进行分离
C. 过滤
D. 化学分离
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12. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 8
B. 9
C. 10
D. 11
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13. 超纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 16
B. 17
C. 18
D. 19
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14. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。
A. 悬浮物质
B. 挥发物质
C. 胶体物质，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 溶解物质
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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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16. 位错密度通常采用（ ）来表示，可在金相显微镜下测定。
A. 体密度
B. 面密度
C. 线密度
D. 以上皆不是
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17. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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二 、多选题
1. 构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。
A. 被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差
B. 具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触
C. 半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中
D. 电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的
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2. 用接触法测量半导体单晶电阻率的方法主要有（ ）。
A. 两探针法
B. 四探针法
C. 扩展电阻法
D. 范德堡法
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3. 自动软化系统出现下述情况之一（ ）就必须进行化学清洗。
A. 装置的纯水量比初期投运时或上一次清洗后降低5%-10%
B. 装置的单次的浓缩比比初期投运时或上一次清洗后降低10%-20%时
C. 装置各段的压力差值为初期投运时或上一次清洗后的1-2倍
D. 装置需要长期停运时用保护溶液保护前
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4. 在立方晶系中，主要有如下（ ）性质。
A. a=b=c
B. 体积
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5. 露点法测定气体中水分的过程控制表述正确有（ ）。
A. 用金属导管将被测气体导入露点瓶，出口气体经石蜡液封瓶放空测定前要赶气1h
B. 测定时，在封底铜管内加入制冷剂，在插入一直-80℃低温温度计小心搅拌，使温度下降，注意观察，当喷口所对的铜管表面出现露斑，即读出温度值，这就是测得的露点温度
C. 测定流速控制在250—300ml/min
D. 通常测-34℃以下气体观察到的是霜点，根据实验测得霜点和露点相应温度差约4℃
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
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四 、配伍题
1. 将下列RO膜污染原因与适应药液一一对应。
A. 1.5%EDTA溶液
B. 碳酸盐结垢
C. 有机物污染及硫酸盐结构
D. 1%富尔马林溶液
E. 3%柠檬酸溶液
F. 细菌污染
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2. 将下列天然水中杂质三大部分情况一一对应。
A. 溶胶、硅胶、铁、铝
B. 悬浮物质
C. 胶体物质
D. 细菌、泥沙、黏土等其他不容物质
E. 溶解物质
F. Ca 、Mg、N【A.】Fe、Mn的酸式碳酸盐
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3. 将下列半导体晶体缺陷类型一一对应。
A. 杂质沉淀
B. 宏观缺陷
C. 微观缺陷
D. 星形结构
E. 加工损伤
F. 表面机械损伤
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4. 将下列半导体硅的常用腐蚀剂液体试剂的浓度一一对应。
A. 70%
B. HF
C. 49%
D. HNO3
E. H2O2
F. 30%
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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。
A. 吸盘
B. X射线发生部分
C. X射线检测部分
D. X射线管
E. 样品台
F. 盖革计数管和计数时率计
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发表于 2024-4-20 12:51:21
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