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光伏检测与分析-001
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一 、单选题
1. 冷热探笔法属于利用半导体的（ ）来测量导电类型的方法。
A. 温差电效应
B. 整流效应
C. 以上二种皆可
D. 以上二种皆不可
答案：A
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2. 用冷热探笔法测量导电类型时，热探笔的温度要适当，以（ ）为宜。
A. 30～50℃
B. 40～60℃
C. 50～70℃
D. 60～80℃
答案：B
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3. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
答案：B
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4. 硅晶体中，氧的分凝系数（ ）1，碳的分凝系数（ ）1。
A. 大于 小于
B. 大于 大于
C. 小于 小于
D. 小于 大于
答案：A
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5. 气相色谱法测定干法H2的组分岗位存在的环境因素是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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6. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低
D. 无法判断
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7. 晶面指数最低的晶面总是具有（ ）的晶面间距。
A. 最小
B. 相等
C. 最大
D. 无法判断
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8. 以下表示晶面指数最恰当的是（ ）。
A. （664）
B. （463）
C. （333）
D. （246）
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9. RO反渗透技术是利用（ ）为动力的膜分离过滤技术。
A. 吸附力
B. 离子交换
C. 电力
D. 压力差
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10. 以下那一项不是三氯氢硅中痕量磷的气象色谱测定步骤中，在温度680度和石英石的催化作用下，样品及其含磷杂质分别被氢还原产物（ ）。
A. 混合氯代硅烷
B. 氯化氢
C. 磷化氢
D. 水
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11. 露点法测定气体中的水分时，本岗位存在的危险源是（ ）。
A. 液氮低温冻伤
B. 潜在氢气泄露引起的爆炸
C. 温度过高
D. 没有明显危险源
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12. 纯水是电阻率达到（ ）左右的水。
A. 8
B. 9
C. 10
D. 11
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13. 制取高纯水时一般采用（ ）交换树脂和（ ）交换树脂。
A. 强酸型阳离子 强碱型阴离子
B. 强碱型阴离子 强酸型阳离子
C. 强酸型阳离子 强酸型阴离子国开一网一平台
D. 强碱型阳离子 强碱型阳离子
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14. 下列哪一项不是天然水的三大杂质之一（ ）。
A. 悬浮物质
B. 挥发物质
C. 胶体物质
D. 溶解物质
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15. （ ）是影响硅器件的成品率的一个重要因素，也是影响器件性能的稳定性和可靠性的重要因素。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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16. 直拉单晶中氧含量头部与尾部相比（ ）。
A. 较高
B. 相同
C. 较低国开一网一平台
D. 无法判断，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
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17. 漩涡缺陷是晶体中（ ）的局部聚集。
A. 点缺陷
B. 线缺陷
C. 面缺陷
D. 微缺陷
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18. 放射线同位素的量越多，放出的γ射线的强度（ ）。
A. 越小
B. 不变
C. 越大
D. 随机变化
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19. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'
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20. X射线定向法的误差可以控制在（ ）范围内，准确度高。
A. ±10'
B. ±15'
C. ±20'
D. ±30'国开一网一平台
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二 、多选题
1. 影响半导体单晶电化学腐蚀速度的因素主要有（ ）。
A. 腐蚀液的成分
B. 电极电位
C. 缓冲剂的影响
D. 腐蚀处理的温度和搅拌的影响
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2. 半导体中非平衡少子载流子寿命的大小对半导体器件的（ ）有直接影响。
A. 太阳能电池的光电转换效率
B. 晶体管的放大倍数
C. 开关管的开关时间
D. 太阳能电池的填充因子
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3. 影响树脂再生的主要因素有（ ）。
A. 再生剂的类型、强度、浓度、流速、酸、碱液与离子交换树脂接触的时间等
B. 终点PH值的大小
C. 离子交换树脂的分离、反洗效果、混合程度、清洁卫生等
D. 杂质量的多少
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4. 中子活化分析的特点有（ ）。
A. 灵敏度高
B. 分析速度快，精度高
C. 非破坏性分析
D. 不易沾污和不受试剂空白的影响
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5. 关于晶面指数，以下说法正确的是（ ）。
A. 与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（101）
B. 与Y轴平行但与X轴和Z轴都相交于一个单位长度处的密勒指数为（010）
C. 和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（001）
D. 和X,Y轴都平行但与Z轴相交于一个单位长度处的密勒指数为（110）
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三 、问答题
1. 简述离子交换法制备纯水交换、再生过程。
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2. 简述用分析法对三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定的方法原理。
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3. 高频光电导衰退法测量非平衡少数载流子寿命的基本原理是什么？
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四 、配伍题
1. 将下列分析项目与分析方法一一对应。
A. 基于时间的差别进行分离
B. 三氯氢硅中硼的分析
C. 三氯氢硅中痕量磷的气相色谱测定
D. 自然挥发法
E. 异常透射法
F. X射线形貌技术
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2. 将下列混床再生中操作步骤一一对应。
A. 再生剂为5%的NaOH，用量为树脂体积的3-5倍， 从上口进入，控制一定流速，维持液面顺流通过
B. 逆洗分层
C. 强碱性阴离子交换树脂再生
D. 水从底部进入，上口排出，树脂均匀地松弛蓬松开来，可加大水流速以冲不出树脂为原则，洗至出水清高度
E. 再生剂为5%盐酸，用酸量为阳离子交换树脂体积的2-3倍
F. 强酸性阳离子交换树脂再生
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3. 多晶硅中基硼含量式：，请将以下变量物理意义一一对应。
A. P型电阻率
B. ρB
C. 电子电荷
D. e
E. 空穴迁移率
F. μp
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4. 将下列质谱分析造成其误差较高的因素与原因一一对应。
A. 杂质不均匀
B. 与元素本身性质、样品中元素的选择及离子源火花条件有关
C. 因为质谱分析一次只消耗少量样品，不能代表整个样品杂质含量
D. 各元素电离效率
E. 谱线黑度
F. 受到很多因素，如离子质量影响
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5. 将以下X射线定向仪主要构成部分一一对应。
A. 吸盘
B. X射线发生部分
C. X射线检测部分
D. X射线管
E. 样品台
F. 盖革计数管和计数时率计
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发表于 2024-4-20 12:47:11
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