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光伏电池原理与工艺策略-018
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一 、单选题
1. 线切割机切割的效率（ ），切割损耗（ ），表面损伤（ ）。
A. 高 小 小
B. 高 大 小
C. 低 小 大
D. 低 大 大
答案：A
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2. （ ）接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
A. 半导体与半导体
B. 金属与半导体
C. 金属与金属
D. 金属与绝缘体
答案：B
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3. 要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是（ ），可使光电转换效率超20%。
A. 陷光技术
B. 掺杂工艺
C. 大面积均匀性技术国开一网一平台
D. 抗光致衰减技术
答案：A
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4. （ ）是衡量电池输出特性的重要指标，其值越大表明太阳电池的输出特性越好。
A. 填充因子
B. 短路电流开路电压
C. 光谱响应
答案：A
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5. （ ）对电池性能的影响直接反映在对材料参数及电池的电学参数的影响上。
A. 温度
B. 厚度
C. 辐射
D. 大小
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6. 由基矢a1、a2、a3描述的空间点阵称为（ ）。
A. 正格子
B. 倒格子国开一网一平台
C. 正格矢
D. 倒格矢
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7. 空间点阵可分为（ ）晶系。
A. 四种
B. 五种
C. 六种
D. 七种
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8. 七大晶系共有（ ）种布喇菲原胞。
A. 11
B. 12
C. 13
D. 14
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9. 为使太阳电池所接收到的太阳直射辐射能量最多，就要确定太阳（ ）。
A. 高度角
B. 方位角
C. 入射角
D. 日照时间
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10. 下列不是半导体异质结太阳电池的是（ ）。
A. 硫化亚铜-硫化镉太阳电池
B. 碲化镉太阳电池
C. 砷化镓太阳电池
D. 非晶硅薄膜太阳电池
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二 、多选题
1. 晶体结合的基本形式可分为（ ）
A. 高子键合
B. 金属键合
C. 共价键合
D. 分子键合
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2. 多晶硅锭的两种常见生产方法有（ ）。
A. 浇铸法
B. 直拉法
C. 直熔法
D. 区熔法
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3. 硅片表面污染的杂质分类有（ ）。
A. 分子型杂质
B. 离子型杂质
C. 原子型杂质
D. 质子型杂质
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4. 微晶硅太阳电池的特点（ ）。
A. 不存在光致衰减现象，具有较好的稳定性
B. 光谱响应范围窄
C. 低吸收系数
D. 工艺简单、成本低
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5. 太阳电池的测试方法包括（ ）。
A. 阳极氧化法测结深
B. 四探针法测薄层电阻
C. 少子寿命的测试
D. 太阳电池负载特性的测试
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三 、问答题
1. 简述杂质原子形成替位式杂质或间隙式杂质的取决因素。
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2. 简述影响电池输出功率的主要因素。
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3. 太阳电池广泛应用于社会，试举例说明。
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四 、配伍题
1. 将下列关于晶体结构的描述一一对应。
A. 晶棱
B. 互相平行的晶棱的共同方向
C. 晶面的交线
D. 晶带
E. 晶棱互相平行的晶面的组合
F. 晶带带轴
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2. 将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。
A. 中国
B. 丰富程度最高地区
C. 丰富程度中高地区
D. 印度
E. 丰富程度中低地区
F. 日本
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3. 将下列事件与时间关系等一一对应。
A. 1839年
B. 法国物理学家A.E.Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应
C. 制作了第一片硒太阳电池
D. 1877年
E. 1954年
F. 贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的效率为6％的单晶硅光电池
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4. 将下列太阳电池与其缺陷一一对应。
A. 效率低，稳定性差
B. 铜铟镓硒
C. 非晶硅
D. 严重的光致衰减效应
E. Cu2S/CdS
F. 复杂结构和敏感的元素配比国开一网一平台
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发表于 2024-4-20 12:04:28
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