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光伏电池材料卷包-001
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一 、单选题
1. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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2. 最常用于测试硅片电阻率的方法是（ ）。
A. 扩展电阻法
B. 四探针法
C. 两探针法
D. 范德堡法
答案：B
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3. 少子寿命的物理意义是（ ）。
A. 非平衡少数载流子复合所需要的平均时间
B. 非平衡少数载流子扩散所需要的平均时间
C. 非平衡少数载流子跃迁所需要的平均时间
D. 以上都不对
答案：A
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4. 关于二氧化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 制造冶金硅的主要原料之一
B. 能与HF反应
C. SiO2不溶于水，但能于热的浓碱溶液反应生成硅酸盐，反应较快
D. 石英是地壳中分布很少的矿物质
答案：D
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5. 关于硅的化学性质说法错误的是（ ）。
A. 硅单质在常温下化学性质十分稳定
B. 硅单质在常温下能与氢氟酸和硝酸的混合物反应
C. 在高温下，硅几乎与所有物质发生化学反应
D. 硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
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6. 非晶硅具有大量的结构缺陷，主要是（ ）。
A. 悬挂键
B. 杂质
C. 位错
D. C-Si弱键
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7. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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8. 区熔法制备单晶硅时，以下说法正确的是（ ）。
A. 不需要坩埚
B. 需要一个石英坩埚用于溶化
C. 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚
D. 需要一个石墨坩埚
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9. 相平衡条件要求平衡相的（ ）相等。
A. 温度
B. 压强
C. 体积
D. 化学势
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10. 关于采用区域提纯法去除硅中硼杂质描述正确的是（ ）。
A. 几乎无效果
B. 效果明显
C. 取决于温度，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 取决于硼的含量
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11. 二元相图通常采用（）的坐标系。
A. 温度-压力（T-p）图
B. 温度-浓度（T-x）图
C. 三棱柱模型
D. 压强-浓度（p-x）图
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12. 直拉法生长单晶硅所采用的石墨坩埚可以多次使用，它的作用是（ ）。
A. 盛硅熔体
B. 补充氧
C. 支撑石英坩埚
D. 加热
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13. 生产直拉单晶硅时，单晶炉内需要通入（ ）作为保护气体。
A. 空气
B. 氧气
C. 氩气
D. 氢气
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14. GaAs属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 闪锌矿结构
D. 金刚石结构
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15. 多晶硅属于（ ）。
A. 面心立方结构
B. 体心立方结构
C. 金刚石结构
D. 简单立方结构
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16. 以下太阳电池成本（单位：美元/W）最低的是（ ）。
A. 非晶硅薄膜
B. 多晶硅
C. 铜铟镓硒
D. 微晶硅薄膜
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17. 关于染料敏化太阳电池中的纳米晶要求错误的是（ ）。
A. 高的比表面积和大量的孔隙
B. 尽可能多的吸附染料
C. 晶粒越大越好
D. 最大限度的与电解质紧密接触
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18. 关于四氯化硅以下说法错误的是（ ）。
A. 无色而有刺鼻气味的液体
B. 熔点-70℃，沸点57.6℃
C. 可以经吸入、食入、经皮吸收，对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用
D. 不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
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19. 改良西门子法所采用的提纯工艺是（ ）。
A. 吸附
B. 精馏
C. 物理提纯法
D. 区域提纯
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20. Dash工艺主要解决的是（ ）。
A. 加入转晶
B. 减少位错
C. 放肩
D. 热应力
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二 、多选题
1. 硅片的翘曲度一般用（ ）参数来表示。
A. BOW
B. TTV
C. TIR
D. WARP
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2. 硅片清洗的作用是（ ）。
A. 提高绝缘性能
B. 去除边缘腐蚀时的油污、水气、灰尘
C. 降低杂质离子对P-N结性能的影响
D. 降低杂质的存在带来的硅片的电阻率不稳定
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3. 制备性能优良的太阳能电池，在铸造多晶硅晶体生长时，需要解决的问题有（ ）
A. 尽量大的晶粒
B. 尽量均匀的固液界面温度
C. 尽量小的热应力
D. 尽可能减少来自坩埚的污染
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4. 影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素包括（ ）。
A. 固液界面
B. 热应力
C. 来自坩埚的污染等，我们的目标是要做全覆盖、全正确的答案搜索服务。
D. 保护气氛
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5. 浇铸法的缺点在于（ ）。
A. 熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染
B. 有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂国开一网一平台
C. 生产效率低
D. 能耗高
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6. 石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（ ）。
A. 隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质
B. 绝热，保温
C. 降低热应力
D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用
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7. 改良西门子法生产多晶硅的主要优点有（ ）。
A. 节能
B. 降低物耗
C. 减少污染
D. 生长速度快
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8. 工业吸附对于吸附剂的要求包括（ ）。
A. 具有较大的内表面，吸附容量大
B. 选择性高
C. 具有一定的机械强度，抗磨损
D. 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀
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9. 关于硅的电阻率说法正确的是（ ）。
A. 在高纯硅中掺入极微量的电活性杂质，其电阻率会显著下降
B. 硅的电导率对外界因素（如光、热、磁等）高度敏感
C. N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
D. N型半导体和P型半导体的导电能力都比本征半导体大得多
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10. 非晶硅太阳电池成本低原因在于（ ）。
A. 廉价的衬底材料
B. 制备是在低温下进行
C. 可柔性化
D. 非晶硅薄膜仅有数百纳米厚度
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三 、问答题
1. 简述太阳能电池用单晶硅加工所经历的滚圆、切片、倒角、磨片、化学腐蚀等5道主要工序的目的。
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2. 单晶硅生长和加工过程中，往往不可避免的会引入一些杂质，如氧、碳、氮等非金属杂质和某些金属杂质，这些杂质对硅材料的性能往往会有很大的影响。与氧、碳杂质相比，硅中杂质氮的浓度通常较低。简单叙述硅中氮的来源、存在形式及其对单晶硅的性能影响？
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发表于 2024-4-19 15:04:53
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