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西南大学培训与继续教育学院课程考试试题卷
课程名称【编号】:(1075)《电力电子技术》
一、单项选择题(本大题共10小题,每道题3.0分,共30.0分)
1. IGBT是一个复合型的器件,它是( )。
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTO
2. 已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )。
A.减小至维持电流以下
B.减小至擎住电流以下
C.减小至门极触发电流以下
D.减小至5A以下
3. 为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( )。
A.du/dt抑制电路
B.抗饱和电路
C.di/dt抑制电路
D.吸收电路
4. 在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段内,有( )晶闸管导通。
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A.1个
B.2个
C.3个
D.4个
5. 直流斩波电路是一种( )变换电路。
A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC
6. 桓流驱动电路中加速电容C的作用是( )。
A.加快功率晶体管的开通
B.延缓功率晶体管的关断
C.加深功率晶体管的饱和深度
D.保护器件
7. 电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是( )。
A.30°~150°
B.0°~120°
C.15°~125°
D.0°~150°
8. 对于单相交交变频电路如下图,在t1~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是( )。
44.png
A.P组阻断,N组整流
B.P组阻断,N组逆变
C.N组阻断,P组整流
D.N组阻断,P组逆变
9. 单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是( )。
22.png
A.V1与V4导通,V2与V3关断
B.V1常通,V2常断,V3与V4交替通断
C.V1与V4关断,V2与V3导通
D.V1常断,V2常通,V3与V4交替通断
10. 对于单相交流调压电路,下面说法错误的是( )。
A.晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度
B.晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作
C.晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度
D.晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度
二、填空题(本大题共10小题,每道题3.0分,共30.0分)
1. 如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0~t1时间段内,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为_______;
(3) t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为_______;
答案:VD1; V1; VD2;V2;VD1
2. 电力变换通常可分为: 、 、 和 。
3. 在下图中,_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;_______和_______构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于____象限。
4. 电子技术包括______________和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
5. 为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
6.
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。
7.
考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏抗的相比,则使输出电压平均值 。
8. 在型号KP10-12G中,数字10表示 。
9. 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 。
10. 单相全控桥大电感负载电路中,晶闸管可能随的电大正向电压为 。
三、问答题(本大题共2小题,每道题10.0分,共20.0分)
1. 简述晶闸管导通的条件与关断条件。
2. 电压型逆变电路的主要特点是什么?
四、计算题(本大题共1小题,每道题20.0分,共20.0分)
1. 电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大电感负载,R=4Ω,U2=220V。触发角为60°时,
(a) 试求Ud、Id、晶闸管电流平均值IdVT、晶闸管电流有效值IVT、变压器副边电流有效值I2;
(b) 作出ud、id、iVT2、i2 的波形图(图标清楚,比例适当)。
附件是本套题目答案,下载请核对。
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