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 第二次形考任务答案.doc
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【上面答案为下列试题答案，请核对试题后再购买】www.ybaotk.com雅宝题库QV同1144766066电大
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题目：（）是生产太阳能级硅材料的主要技术。: 冶金法; 二氧化硅高纯试剂还原法; 改良西门子法; 四氯化硅金属还原法
题目：代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。: 0.20％、0.20％、0.05％; 以上都不对; 0.20％、0.05％、0.20％; 0.05％、0.20％、0.20％
题目：对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。: 节约时间; 节能; 降低物耗; 减少污染
题目：改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。: 吸附; 精馏; 区域提纯; 物理提纯法
题目：工业硅加工产品的附加值最高的是（）。: 有机硅生产; 生产合金; 生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池; 以上皆不是
题目：关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）: 取决于温度效果显著; 取决于硼的含量; 效果一般完全去除; 几乎雅法效果去除
题目：关于分子筛说法错误的是（）。: 也叫合成沸石; 分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面; 具有极性; 对非极性分子具有较强的亲和力
"题目：硅石和还原剂在低于1500℃时，发生的反应是（）。
: SiO2+3C=SiC+2CO↑
; 雅化学反应，仅为预热
; SiO2+2SiC=3Si+2CO↑
; 2SiO2+SiC=3SiOuarr;+CO↑"
题目：金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。: {111}面; {110}面; {100}面; {101}面
题目：晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。: 原生长缺陷; 二次缺陷; 点缺陷; 诱生缺陷
题目：区熔法制备单晶硅时，需要（）。: 需要一个石英坩埚用于溶化; 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚; 不需要坩埚; 需要一个石墨坩埚
题目：生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。: 氧气低压的空气; 低压的氮气氢气; 低压的氩气; 常压的空气
题目：太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。: 杂质原子; 位错; 空位; 二次缺陷
题目：微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。: 前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅; 两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料; 后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是; 从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
题目：吸附时不发生任何化学变化，是（）。: 物理吸附; 以上皆不是; 化学吸附; 不可逆过程
题目：在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。: 只有熔炼过程中生成的SiC; 底下是SiC，其上面是产品工业硅; 全部都是产品工业硅; 以上皆不是
题目：占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。: 原生长缺陷; 替位杂质原子; 本征点缺陷; 间隙杂质原子
题目：CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。: 缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长; 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长; 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长; 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
题目：Dash工艺主要解决的是（）。: 热应力; 减少缺陷（位错）; 加入转晶; 放肩
题目：大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。: 方便安装; 防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破; 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险; 降低成本
题目：工业硅生产过程中，要注意的是（）。: 通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度; 及时捣炉，帮助沉料; 保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体; 及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比
题目：工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。: 具有较大的内表面，吸附容量大; 具有一定的机械强度，抗磨损; 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀; 选择性高
题目：关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。: 生长时都需借助要采用籽晶; 都需要采用真空气氛保护; 都需要使用缩颈工艺; 熔化时都需要采用坩埚
题目：关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。: 放热反应; 吸热反应; 温度升高后反而将影响产品收率; 要加热到所需温度才能进行
题目：关于晶转说法正确的是（）。: 过高的晶转会使固液界的形状太凹; 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动; 晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性; 吊索和晶体出现共振时效果最好
题目：关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。: 被两条曲线分为三个区域; 升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线; 降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线; 降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线
题目：关于SiO说法正确的是（）。: SiO很容易发生化学反应; 温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到; 能在1500℃与C发生反应; 能与氧气发生反应
题目：硅烷法的特点是（）。: 不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅; 硅烷气体易于用吸附法提纯; 易于分解为非晶硅; 硅烷易爆炸
题目：化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。: 中间化合物的分离提纯; 中间化合物的合成; 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅; 区域提纯
题目：晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。: 点缺陷的产生; 点缺陷分解; 点缺陷的复合; 点缺陷的扩散
"题目：具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。
: {211}〈211〉晶面族晶向
; {100}<110>晶向晶面族
; 〈210〉晶向{110}晶面族
; {111}晶面族〈111〉晶向"
题目：磷在硅中很容易去除，在于（）。: 磷的密度小; 磷在硅中的分配系数小于1; 磷在硅熔液中很快得到蒸发; 磷的熔点低
题目：石墨坩埚的寿命取决于（）。: 石墨坩埚的形状; 在晶体生长过程中的受热程度; 承受的重量; 石墨的材质
题目：位错影响说法正确的是（）。: 刃型位错也可能作为一排受主; 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心; 位错能够改变载流子浓度; 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
题目：雅坩埚区域提纯（）。: 也可用于晶体生长; 硅也能采用水平区域提纯法; 避免了坩埚的污染; 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
题目：以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。: 升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的; 化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发; 物理．吸附的进行吸附是可逆的; 脱咐的进行物理吸附是不可逆的
题目：由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。: 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度; 熔体稳定; 晶体直径大; 对多晶形状要求低
题目：直拉单晶炉的主室包括（）。: 热绝缘筒和地盘; 石墨加热器; 石墨坩埚; 石英坩埚
题目：CZ法产生位错的环节和方式有（）。: 籽晶中的位错延伸、增殖; 晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力; 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕; 单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
题目：闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。
题目：从安全性的角度考虑，改良西门子法优于硅烷法。
题目：单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。
题目：对于一次熔化来说，正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。
题目：分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。
题目：改良西门子法的原料主要是硅石。
题目：改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。
题目：改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种雅聊得到充分的利用，排出的废料极少。
题目：硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。
题目：化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。
题目：化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。
题目：甲硅烷常温下为气体，室温下就容易分解。
题目：精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。
题目：冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。
题目：由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。
题目：只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。
题目：CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。
题目：FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。
题目：MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。
题目：SiH4不能采用精馏技术进行提纯
"题目：将工业硅的应用与用量一一对应。
（1）生产合金 一一[[3]]
（2）有机硅 一一[[2]]
（3）半导体器件和太阳能电池 一一[[1]]
; [[1]] -> {A. 5% / B. 40% / C. 55%}"
"题目：将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。
（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比 一一[[3]]
（2）保证反应区有足够高的温度 一一[[2]]
（3）及时捣炉，帮助沉料 一一[[1]]
; [[1]] -> {A. 避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO / B. 分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行 / C. 防止过多的SiC生成}"
"题目：将工艺与提纯方法一一对应。
（1）硅烷法 一一[[2]]
（2）改良西门子法 一一[[1]]
（3）冶金 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 精馏 / B. 吸附 / C. 物理提纯}"
"题目：将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。
（1）红外散射缺陷（LSTDs）一一[[3]]
（2）流水花样缺陷（FPDs）一一[[2]]
（3）晶体原生颗粒缺陷（COPs）一一[[1]]
; [[1]] -> {A. 随着拉速的增加而增加 / B. 过饱和空位凝聚而成的空位团 / C. 拉速越慢，LSTDs密度越低}"
"题目：将化学反应与作用一一对应。
（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl 一一 [[3]]
（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2 一一 [[1]]
（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑ 一一 [[2]]
; [[1]] -> {A. 中间产物的合成 / B. 工业硅的合成 / C. 中间产物的还原}"
"题目：将吸附的设备与工艺一一对应。
（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内 一一[[3]]
（2）固定吸附床 一一[[1]]
（3）移动吸附器 一一[[2]]
; [[1]] -> {A. 半连续操 / B. 连续操作 / C. 间歇操作}"
"题目：将氧的存在方式及其描述一一对应。
（1）热施主 一一[[2]]
（2）新施主 一一[[1]]
（3）氧沉淀 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 热处理温度处于550～850℃ / B. 处理温度处于300～500℃ / C. 适当的温度下进行热处理时会脱溶}"
"题目：将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。
（1）O 一一[[1]]
（2）C 一一[[2]]
（3）B 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 1.25 / B. 0.07 / C. 0.8}"
"题目：将Cz法中的工艺与描述一一对应。
（1）缩颈生长 一一[[1]]
（2）放肩生长 一一[[3]]
（3）等径生长 一一[[2]]
; [[1]] -> {A. 减少位错 / B. 硅片取材的部位 / C. 肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率}"
"题目：将Cz法中的设备与描述一一对应。
（1）石英坩埚 一一[[3]]
（2）石墨坩埚 一一[[1]]
（3）石墨加热器 一一[[2]]
; [[1]] -> {A. 底部比较厚，以起到较好的绝热效果 / B. 电阻会随着使用次数的增加而升高 / C. 纯度和耐热性能要求很搞}"
"题目：将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。
（1）O 一一[[1]]
（2）C 一一[[2]]
（3）N 一一[[3]]
; [[1]] -> {A. 危害大 / B. 浓度低，影响小 / C. 增强机械性能}"
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发表于 2021-9-23 17:11:50
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